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扬州LED厂家:科锐宣布量产第二代碳化硅MOSFET器件
信息来源:星慧照明   点击量:5703 次   发布时间:2013-3-25
   碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率?#26696;?#23567;的系统尺寸。全新科锐1200V MOSFET器件可提供?#21040;?#39046;先的功率密度及转换效率,而每?#25165;?#25104;本仅为上一代产品的50%。更高的性价比使得新型碳化硅MOSFET器件可为OEM厂商带来更低的系统成本,并且由于基于碳化硅的系统尺寸更小、重量更轻,能够提高效率并降低安装成本,从而为最终用户节省额外费用。

  德国弗莱堡 Fraunhofer研究所著名?#21040;?#19987;家Bruno Burger教授指出:'我们已经在我们新型先进太阳能电路中对科锐第二代碳化硅 MOSFET器件进行了评估,科锐的产品拥有顶尖水平的效率,可以使得系统在更高开关频率下进行工作,从而实现更小的无源器件尤其是更小的电抗器。这将从根本上提高太阳能逆变器的性价比,从而获得更小、更轻以?#26696;?#39640;效的系?#22330;?

  新型碳化硅MOSFET器件出色的性能可?#36234;?#20302;某些大功?#35270;?#29992;领域对功率器件50%-70%的额定电流需求。经过?#23454;?#30340;优化,客户能以与硅器件方案相当甚至更低的成本得到碳化硅器件所带来的系统性能优势。对于太阳能逆变器和不间?#31995;?#28304;(UPS)系统,性能提升的同时伴随着尺寸和重量的减少。在电机驱动应用方面,在增?#26377;?#29575;的同时可?#28304;?#21040;一倍以上的功率密度,与硅器件相比能提供高达两倍的输出扭矩。该产品覆盖范围已经扩展到25 mΩ芯片,目标定位30 KW以?#31995;?#28304;模块市场。80 mΩ器件的目标定位是作为第一代MOSFET 器件的升级产品,以更低的成本提供更高的性能。

  科锐功?#35270;?#23556;频器件副总裁兼总经理Cengiz Balkas表示:'基于科锐新型MOSFET?#25945;ǎ?#25105;们已经在多个细?#36136;?#22330;获得成功案例,由于市场对第二代碳化硅 MOSFET器件?#37038;?#36805;速,我们目前可以提?#26696;?#21040;客户一些产品,同时我们也正在加速量产以满足客户的需求。'

  一颗25 mΩ裸片可为大功率模块提供50 A单元。80 mΩ MOSFET器件采用TO-247封装,较科锐第一代MOSFET CMF20120D产品,得到更高性能和更低成本。TO-247封装的MOSFET可通过DigiKey、Mouser 和Farnell即刻购买。

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